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吉時(shí)利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀
名稱：萬用表
品牌：
型號：
簡介：吉時(shí)利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀是一款能進(jìn)行器件、材料或過程電氣特性分析的模塊化全集成參數(shù)分析儀。吉時(shí)利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀利用9個(gè)測量槽和內(nèi)置低噪聲接地單元，您可以根據(jù)測試要求或預(yù)算限制進(jìn)...
- 產(chǎn)品介紹
吉時(shí)利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀是一款能進(jìn)行器件、材料或過程電氣特性分析的模塊化全集成參數(shù)分析儀。吉時(shí)利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀利用9個(gè)測量槽和內(nèi)置低噪聲接地單元，您可以根據(jù)測試要求或預(yù)算限制進(jìn)行精密配置。以下是艾克賽普為您介紹吉時(shí)利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀的詳細(xì)介紹，如有相關(guān)問題，請聯(lián)系長沙艾克賽普儀器儀表公司vntnorcwa.cn，聯(lián)系電話：0731-84284278 84284378。
直流I-V測量是器件和材料測試的基礎(chǔ)。吉時(shí)利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀是高精度源電流或電壓以及同步測量電流和電壓的精密儀器。4200-SCS提供的寬范圍I-V測量包括：亞ρA漏電測量、μΩ電阻測量。
電容-電壓（C-V）測試廣泛用于確定各種半導(dǎo)體參數(shù)，例如摻雜濃度和分布、載流子壽命、氧化層厚度、界面態(tài)密度等。吉時(shí)利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀提供3種C-V法：多頻（1kHz~10MHz）C-V、超低頻（10mHz~10Hz）C-V和準(zhǔn)靜態(tài)C-V。
吉時(shí)利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀在分析器件特性時(shí)，脈沖I-V測試非常適于防止器件自發(fā)熱或最小化電荷俘獲效應(yīng)。通過用窄脈沖和/或小占空比脈沖代替直流信號，可以在保持DUT性能的同時(shí)提取重要參數(shù)。瞬態(tài)I-V測量能讓科學(xué)家或工程師在時(shí)域采集超高速電流或電壓波形以便研究動(dòng)態(tài)特性。
保持MOS結(jié)構(gòu)柵氧化層的質(zhì)量和可靠性是半導(dǎo)體圓廠的一項(xiàng)關(guān)鍵任務(wù)。電容-電壓（C-V）測量通常用于深入研究柵氧化層的質(zhì)量。吉時(shí)利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀配備C-V儀器模塊后能簡化MOS電容器測量的檢驗(yàn)和分析。吉時(shí)利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀包括了氧化層厚度、平帶電壓和閾值電壓等常用測量參數(shù)。
應(yīng)力測量檢測常用于估計(jì)半導(dǎo)體器件的工作壽命和磨損性故障。標(biāo)準(zhǔn)WLR測試包括熱載流子注入（HCI）或溝道熱載流子（CHC），負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性（NBTI）以及與時(shí)間有關(guān)的介質(zhì)擊穿（TDDB）。這類數(shù)據(jù)用于評價(jià)器件設(shè)計(jì)和監(jiān)控制造過程。
憑借超快I-V模塊的多脈沖波形發(fā)生和測量功能，吉時(shí)利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀專用于應(yīng)對尖端的、非易失存儲(chǔ)設(shè)備的挑戰(zhàn)。下面示出強(qiáng)大功能能讓您滿足幾乎所有NVM電池的測試需求
納米技術(shù)研究分子級物質(zhì)，一個(gè)一個(gè)的原子，以建立具有全新特性的結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)在的研究包括利用碳納米管、半導(dǎo)體納米線、有機(jī)分子電子和單電子器件的設(shè)備。由于物理尺寸太小，這些器件不能用標(biāo)準(zhǔn)方法測試。吉時(shí)利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀具有廣泛的測試應(yīng)用庫能讓您快速、自信地完成測試。
直流I-V測量是器件和材料測試的基礎(chǔ)。吉時(shí)利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀是高精度源電流或電壓以及同步測量電流和電壓的精密儀器。4200-SCS提供的寬范圍I-V測量包括：亞ρA漏電測量、μΩ電阻測量。
電容-電壓（C-V）測試廣泛用于確定各種半導(dǎo)體參數(shù)，例如摻雜濃度和分布、載流子壽命、氧化層厚度、界面態(tài)密度等。吉時(shí)利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀提供3種C-V法：多頻（1kHz~10MHz）C-V、超低頻（10mHz~10Hz）C-V和準(zhǔn)靜態(tài)C-V。
吉時(shí)利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀在分析器件特性時(shí)，脈沖I-V測試非常適于防止器件自發(fā)熱或最小化電荷俘獲效應(yīng)。通過用窄脈沖和/或小占空比脈沖代替直流信號，可以在保持DUT性能的同時(shí)提取重要參數(shù)。瞬態(tài)I-V測量能讓科學(xué)家或工程師在時(shí)域采集超高速電流或電壓波形以便研究動(dòng)態(tài)特性。
保持MOS結(jié)構(gòu)柵氧化層的質(zhì)量和可靠性是半導(dǎo)體圓廠的一項(xiàng)關(guān)鍵任務(wù)。電容-電壓（C-V）測量通常用于深入研究柵氧化層的質(zhì)量。吉時(shí)利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀配備C-V儀器模塊后能簡化MOS電容器測量的檢驗(yàn)和分析。吉時(shí)利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀包括了氧化層厚度、平帶電壓和閾值電壓等常用測量參數(shù)。
應(yīng)力測量檢測常用于估計(jì)半導(dǎo)體器件的工作壽命和磨損性故障。標(biāo)準(zhǔn)WLR測試包括熱載流子注入（HCI）或溝道熱載流子（CHC），負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性（NBTI）以及與時(shí)間有關(guān)的介質(zhì)擊穿（TDDB）。這類數(shù)據(jù)用于評價(jià)器件設(shè)計(jì)和監(jiān)控制造過程。
憑借超快I-V模塊的多脈沖波形發(fā)生和測量功能，吉時(shí)利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀專用于應(yīng)對尖端的、非易失存儲(chǔ)設(shè)備的挑戰(zhàn)。下面示出強(qiáng)大功能能讓您滿足幾乎所有NVM電池的測試需求
納米技術(shù)研究分子級物質(zhì)，一個(gè)一個(gè)的原子，以建立具有全新特性的結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)在的研究包括利用碳納米管、半導(dǎo)體納米線、有機(jī)分子電子和單電子器件的設(shè)備。由于物理尺寸太小，這些器件不能用標(biāo)準(zhǔn)方法測試。吉時(shí)利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀具有廣泛的測試應(yīng)用庫能讓您快速、自信地完成測試。
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